国给人工智高功能密度将有利于缩小电子产品的尺寸。

本论文得到了陕西省三秦学者创新团队、际消陕西省创新能力支撑计划（项目号：际消2022TD-05），陕西省自然科学基金（项目号：2020JM-103和2021JM-35）等项目的资助。费电方3)光催化机制图3 (a)UV-vis。

和远2) 形貌表征及力学性能图2(a-b)PVA的扫面电镜图。国给人工智(i-j)g-C3.6N4/PVA的光学图像。研究发现，际消在g-C3N4/PVA和g-C3.6N4/PVA上分别可以明显观察到DMPO-·O2-加合物的信号峰(图4b)。

费电方5)细胞毒性图6对HSF细胞的CCK8细胞毒性分析。和远(m)g-C3N4/PVA和g-C3.6N4/PVA在不同光照时间下菌落数的变化。

该研究首先通过密度泛函理论(DFT)计算研究了g-C3N4和g-C3.6N4界面的电荷转移和电荷分布特性，国给人工智进一步指导了材料的扩展应用。

考虑到g-C3.6N4优良的光学性质，际消利用紫外-可见吸收光谱研究了g-C3N4/PVA和g-C3.6N4/PVA的带隙(图3a)，并通过转换Kubelka-Mink函数计算出相应的光学Eg(图3b)。在打印通道顶层（channel-roof layer）及之后的层时，费电方难以保证通道内的树脂不会固化进而堵塞通道。

立体光固化（Vat Photopolymerization）作为一种新兴的微流控芯片制造技术，和远可以在普通环境下实现一步式加工，和远轻松打印出结构更加复杂的3D管道形状，便于微流控技术研究，推广与共享。然而，国给人工智当前通过立体光固化3D打印的微流控器件在沿着打印方向上难以实现微米级精度（小于100微米）。

际消相关研究成果以In-situtransfervatphotopolymerizationfortransparentmicrofluidicdevicefabrication为题发表在《Nature Communications》上。该工艺的核心思路是在传统的立体光固化打印机基础上增加一个辅助打印平台作为约束平面，费电方将至关重要的通道顶层通过两次曝光分开打印，费电方并原位转印到微流体器件上。